Ieee Transactions On Electron Devices
簡稱：IEEE T ELECTRON DEV
ISSN：0018-9383
ESSN：0018-9383
研究方向：工程技術(shù) - 工程：電子與電氣
所屬分區(qū)：3區(qū)
出版地：UNITED STATES
出版周期：Monthly
創(chuàng)刊時間：1954
Ieee Transactions On Electron Devices英文簡介
IEEE Transactions on Electron Devices publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors. Tutorial and review papers on these subjects are also published and occasional special issues appear to present a collection of papers which treat particular areas in more depth and breadth.
Ieee Transactions On Electron Devices中文簡介
《Ieee Transactions On Electron Devices》是一本由IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC出版商出版的專業(yè)工程技術(shù)期刊，該刊創(chuàng)刊于1954年，刊期Monthly，該刊已被國際權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE、SCI收錄。在中科院最新升級版分區(qū)表中，該刊分區(qū)信息為大類學(xué)科：工程技術(shù) 2區(qū)，小類學(xué)科：物理：應(yīng)用 2區(qū)；工程：電子與電氣 3區(qū)；在JCR（Journal Citation Reports）分區(qū)等級為Q2。該刊發(fā)文范圍涵蓋工程：電子與電氣等領(lǐng)域，旨在及時、準(zhǔn)確、全面地報道國內(nèi)外工程：電子與電氣工作者在該領(lǐng)域取得的最新研究成果、工作進展及學(xué)術(shù)動態(tài)、技術(shù)革新等，促進學(xué)術(shù)交流，鼓勵學(xué)術(shù)創(chuàng)新。2021年影響因子為3.221，平均審稿速度約4.7個月。
中科院分區(qū)最新升級版（當(dāng)前數(shù)據(jù)版本：2021年12月最新升級版）
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 2區(qū) | PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū)最新基礎(chǔ)版（當(dāng)前數(shù)據(jù)版本：2021年12月最新基礎(chǔ)版）
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 3區(qū) 3區(qū) | 否 | 否 |
中科院JCR分區(qū)歷年趨勢圖
JCR分區(qū)（當(dāng)前數(shù)據(jù)版本：2021-2022年最新版）
| JCR分區(qū)等級 | JCR所屬學(xué)科 | 分區(qū) | 影響因子 |
| Q2 | PHYSICS, APPLIED | Q2 | 3.221 |
| ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | Q2 |
期刊指數(shù)
| 影響因子 | h-index | Gold OA文章占比 | 研究類文章占比 | OA開放訪問 | 平均審稿速度 |
| 3.221 | 165 | 2.78% | 99.65% | 未開放 | 約4.7個月 |